上周先是路透社援引消息人士稱，美國政府正考慮將中芯國際列入貿(mào)易黑名單。受此沖擊，本周一中芯國際在兩地市場均大幅低開，收盤H股暴跌23%，A股重挫11%。其后又有《日經(jīng)亞洲評論》報(bào)道，中芯國際計(jì)劃于年底前在完全不使用美國設(shè)備下，試產(chǎn)40nm芯片，并擬三年內(nèi)生產(chǎn)28nm芯片。

一來一回之間，中美之間的芯片戰(zhàn)貌似又上了一個臺階。但事實(shí)上，美國政府對于中芯國際的制裁，甚至是早于對華為的“圍剿”，雖然不是以官方禁令的面目出現(xiàn)的。

2018年，中芯國際曾向荷蘭ASML公司采購極紫外線(EUV)光刻機(jī)，按計(jì)劃設(shè)備應(yīng)在2019年到貨，但由于受到美國阻攔，至今未能到達(dá)中國。而針對光刻機(jī)的技術(shù)封鎖，如同是為中芯國際的芯片制程設(shè)置了天花板。即是說，在光刻機(jī)可以完全國產(chǎn)替代之前，中芯國際最多只能做到7nm芯片。

按照中芯國際的發(fā)展進(jìn)程，今年底可實(shí)現(xiàn)14nm芯片的量產(chǎn)。而根據(jù)公司聯(lián)席CEO梁孟松的計(jì)劃，預(yù)計(jì)將在2021-2022年實(shí)現(xiàn)N+1工藝的量產(chǎn)，相當(dāng)于目前臺積電7nm芯片的水平。從現(xiàn)在開始算起，中芯國際還有兩年的時間就會觸及自身的技術(shù)上限。

那麼，國產(chǎn)EUV的國產(chǎn)替代需要等多久呢?根據(jù)2015年發(fā)布的《中國制造2025規(guī)劃》，攻克國產(chǎn)EUV光刻機(jī)技術(shù)關(guān)口的時間點(diǎn)是在2030年。這也意味著，未來十年內(nèi)中國芯片制程都難以跨越7nm的門檻。當(dāng)然，《中國制造2025規(guī)劃》制定時，中美關(guān)系還未全面惡化，半導(dǎo)體制造業(yè)的國產(chǎn)化未如現(xiàn)在這般緊迫。想必國家未來將持續(xù)加大資源投入，加快EUV光刻機(jī)的研發(fā)進(jìn)度。

美國著力打壓中芯國際，背后暴露的卻是自己的短板。蓋因美國在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，如半導(dǎo)體原材料、芯片設(shè)計(jì)，以及半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備與EDA軟件領(lǐng)域均處于壟斷地位。唯獨(dú)芯片制造業(yè)“跛腳”，相對中國并不存在明顯優(yōu)勢。業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，美國今年的晶圓產(chǎn)能下滑至全球第五位，排在中國臺灣、韓國、日本，以及中國內(nèi)地之后。

也正因此，中芯國際在將芯片量產(chǎn)制程由14nm向7nm推進(jìn)的同時，部署少數(shù)生產(chǎn)線“去美化”，符合目前的國際形勢與產(chǎn)業(yè)條件。相信后面的道路還很漫長，這場戰(zhàn)事只是行至中場。